irlz44 Транзистор полевой N-канальный

irlz44 Транзистор полевой N-канальный

Характеристики:

  • Тип канала: N
  • Максимальное напряжение сток-исток: 55 В
  • Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса: 41 А
  • Сопротивление открытого канала: 22...35 мОм
  • Диапазон номинальных напряжений затвора: 4.5...10 В
  • Максимальное напряжение затвора: 16 В
  • Заряд затвора: 32 нКл
  • Рассеиваемая мощность: 83 Вт
  • Диапазон рабочих температур: -55..175С
  • Даташит
К-во Цена
От1шт22.5грн
От15шт21.4грн
Код: 267
шт.


IRF3710 Транзистор полевой

IRF3710 Транзистор полевой

Характеристики:

  • Тип канала: N
  • Максимальное напряжение сток-исток: 100 B
  • Ток стока номинальный при 25°C: 59 А
  • Сопротивление открытого канала: 18 мОм
  • Номинальное напряжение затвора: 10 В
  • Максимальное напряжение затвора: 20 В
  • Заряд затвора: 82 нКл
  • Рассеиваемая мощность: 160 Вт
  • Даташит
К-во Цена
От1шт37.7грн
От9шт35.8грн
Код: 268
шт.


IRFB4321 транзистор

IRFB4321 транзистор

Характеристики:

  • Тип: MOSFET силовой транзистор
  • Тип канала: N
  • Максимальное напряжение сток-исток: 150 В
  • Ток стока номинальный при 25°C: 83 А
  • Сопротивление открытого канала: 15 мОм
  • Номинальное напряжение затвора: 10 В
  • Максимальное напряжение затвора: 30 В
  • Заряд затвора: 71 нКл
  • Рассеиваемая мощность: 330 Вт
  • Даташит
К-во Цена
От1шт80грн
От5шт76грн
Код: 270
шт.


irfb4115 транзистор

irfb4115 транзистор

Характеристики:

  • Конфигурация и полярность: N
  • Максимальное напряжение сток-исток: 150 В
  • Ток стока номинальный при 25°C: 104 А
  • Сопротивление открытого канала: 11 мОм
  • Номинальное напряжение затвора: 10 В
  • Максимальное напряжение затвора: 20 В
  • Заряд затвора: 77 нКл
  • Рассеиваемая мощность: 380 Вт
  • Даташит
Цена:
58 грн
Код: 271
шт.


IRG4PC30F транзистор

IRG4PC30F транзистор

Характеристики:

  • Напряжение К-Э максимальное: 600 В
  • Ток коллектора максимальный: 17 А
  • Напряжение насыщения К-Э: 1.59 В
  • Время нарастания: 26 нс
  • Время спада: 160 нс
  • Даташит
Цена:
85 грн
Код: 272
шт.


irf9640 транзистор

irf9640 транзистор

Характеристики:

  • Полярность транзистора: P
  • Максимальное напряжение Vds: 200В
  • Сопротивление в открытом состоянии: 0.5 Ом
  • Рассеиваемая мощность: 125 Вт
  • Количество контактов: 3
  • Шаг выводов: 2.54 мм
  • Потребляемая мощность PD: 125 Вт
  • Импульсный ток Idm: 44A
  • Даташит
Цена:
24.7 грн
Код: 273
шт.


IRFP4668 Транзистор полевой

IRFP4668 Транзистор полевой

Характеристики:

  • Тип канала: N
  • Максимальное напряжение сток-исток: 200 B
  • Ток стока номинальный при 25°C: 130 А
  • Сопротивление открытого канала: 9.7 мОм
  • Максимальное напряжение затвора: 30 В
  • Рассеиваемая мощность: 520 Вт
  • Даташит
К-во Цена
От1шт140грн
От3шт133грн
Код: 355
шт.


IRF740 транзистор

IRF740 транзистор

Характеристики:

  • Конфигурация и полярность: N
  • Максимальное напряжение сток-исток: 400 В
  • Ток стока номинальный при 25°C: 10 А
  • Сопротивление открытого канала: 550 мОм
  • Максимальное напряжение затвора: 30 В
  • Рассеиваемая мощность: 125 Вт
К-во Цена
От1шт29.2грн
От12шт27.8грн
Код: 366
шт.


IRF630 транзистор

IRF630 транзистор

Характеристики:

  • Конфигурация и полярность: N
  • Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
  • Ток стока номинальный при 25°C: 9.3 А
  • Сопротивление открытого канала: 400 мОм
  • Максимальное напряжение затвора: 20 В
  • Рассеиваемая мощность: 74 Вт
К-во Цена
От1шт28.1грн
От12шт26.7грн
Код: 367
шт.


IRF840 транзистор

IRF840 транзистор

Характеристики:

  • Конфигурация и полярность: N
  • Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
  • Ток стока номинальный при 25°C: 8 А
  • Сопротивление открытого канала: 850 мОм
  • Максимальное напряжение затвора: 20 В
  • Рассеиваемая мощность: 125 Вт
Цена:
23.3 грн
Код: 368
шт.


2N7000 Транзистор

2N7000 Транзистор

Характеристики:

  • Тип канала: N
  • Максимальное напряжение сток-исток: 60 B
  • Ток стока номинальный при 25°C: 0.2 А
  • Сопротивление открытого канала: 5000 мОм
  • Максимальное напряжение затвора: 20 В
  • Рассеиваемая мощность: 0.4 Вт
  • Даташит
Цена:
2.2 грн
Код: 382
шт.


IRL2505 Транзистор

IRL2505 Транзистор

Характеристики:

  • Тип канала: N
  • Максимальное напряжение сток-исток: 55 B
  • Ток стока номинальный при 25°C: 104 А
  • Сопротивление открытого канала: 8 мОм
  • Максимальное напряжение затвора: 2 В
  • Рассеиваемая мощность: 200 Вт
  • Даташит
К-во Цена
От1шт45грн
От8шт43грн
От35шт38.4грн
Код: 438
шт.


IRF4905 Транзистор

IRF4905 Транзистор

Характеристики:

  • Тип канала: P
  • Максимальное напряжение сток-исток: 55 B
  • Ток стока номинальный при 25°C: 74 А
  • Сопротивление открытого канала: 20 мОм
  • Максимальное напряжение затвора: 20 В
  • Рассеиваемая мощность: 200 Вт
  • Даташит
К-во Цена
От1шт30.9грн
От11шт29.4грн
От50шт26.6грн
От91шт24.7грн
Код: 449
шт.


IRFР460 транзистор

IRFР460 транзистор

Характеристики:

  • Тип: MOSFET силовой транзистор
  • Тип канала: N
  • Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
  • Ток стока номинальный при 25°C: 20 А
  • Сопротивление открытого канала: 270 мОм
  • Максимальное напряжение затвора: 4 В
  • Рассеиваемая мощность: 280 Вт
  • Даташит
Цена:
64 грн
Код: 470
шт.


IRFZ44N транзистор

IRFZ44N транзистор

Характеристики:

  • Тип: MOSFET силовой транзистор
  • Тип канала: N
  • Максимальное напряжение сток-исток: 55 В
  • Ток стока номинальный при 25°C: 49 А
  • Сопротивление открытого канала: 17.5 мОм
  • Максимальное напряжение затвора: 2..4 В
  • Рассеиваемая мощность: 94 Вт
  • Даташит
К-во Цена
От1шт16грн
От22шт15.2грн
Код: 494
шт.


IRF3205 Транзистор

IRF3205 Транзистор

Характеристики:

  • Тип канала: N
  • Максимальное напряжение сток-исток: 55 B
  • Ток стока номинальный при 25°C: 110 А
  • Сопротивление открытого канала: 8 мОм
  • Максимальное напряжение затвора: 20 В
  • Рассеиваемая мощность: 200 Вт
  • Даташит
К-во Цена
От1шт16.9грн
От20шт16грн
Код: 583
шт.


FGH40N60SFD транзистор

FGH40N60SFD транзистор

Характеристики:
  • Структура: n-канал
  • Максимальное напряжение к-э: 600 В
  • Максимальный ток к-э: 80 А
  • Напряжение насыщения при номинальном токе: 2.5 В
  • Управляющее напряжение: 5 В
  • Мощность макс.: 290 Вт
  • Температурный диапазон: -55…+150 С
  • Корпус: to-247
  • Даташит
Цена:
65 грн
Код: 663
шт.


IRLB3034PBF Транзистор

IRLB3034PBF Транзистор

Характеристики:
  • Тип канала: N
  • Максимальное напряжение сток-исток: 40 B
  • Максимальный ток сток-исток: 195 А
  • Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В
  • Заряд затвора: 108 нКл
  • Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм
  • Рассеиваемая мощность: 375 Вт
  • Корпус to220ab
  • Даташит
К-во Цена
От1шт39.3грн
От9шт37.4грн
Код: 664
шт.


FQP30N06 транзистор

FQP30N06 транзистор

Характеристики:
  • Структура: n-канал
  • Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
  • Максимальный ток сток-исток при 25 С: 32 А
  • Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В
  • Сопротивление канала в открытом состоянии: 3.5 мОм
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 79 Вт
  • Пороговое напряжение на затворе: 2.5 В
  • Корпус: to220ab
  • Даташит
Цена:
18.3 грн
Код: 719
шт.


 IRF540N транзистор

IRF540N транзистор

Характеристики:
  • Структура: n-канал
  • Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
  • Максимальный ток сток-исток при 25 С: 33 А
  • Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В
  • Сопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОм
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 120 Вт
  • Корпус: to220ab
  • Пороговое напряжение на затворе: 2…4 В
  • Даташит
Цена:
14.1 грн
Код: 742
шт.

Транзистор – электронный полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Tранзистор позволяет регулировать силу электрического тока. Две основные функции прибора в электрической цепи - это усилитель и переключатель.

Транзистор усиливает слабую энергию подаваемого на него сигнала за счет энергии дополнительного источника питания.

У транзистора три вывода: коллектор, эмиттер и база. Схема транзистора

Между коллектором и эмиттером течет сильный ток, он называется коллекторный ток, между базой и эмиттером - слабый управляющий ток базы. Величина коллекторного тока зависит от величины тока базы. Причем, коллекторный ток всегда больше тока базы в определенное количество раз. Эта величина называется коэффициент усиления по току. У различных типов транзисторов это значение колеблется от единиц до сотен раз.

Транзисторы разделяют на две большие группы:

  • биполярные транзисторы (БТ) (международный термин – BJT, Bipolar Junction Transistor);
  • униполярные транзисторы, еще их называют полевыми (международный термин – FET, Field Effect Transistor).

Полевой транзистор работает следующим образом: слабым сигналом на затворе управляем мощным потоком через канал. В отличии от биполярных транзисторов, тут управление идет не током, а напряжением.

В полевом транзисторе есть полупроводниковый канал, который служит как бы одной обкладкой конденсатора и вторая обкладка — металлический электрод, расположенный через тонкий слой оксида кремния, который является диэлектриком. Когда на затвор подают напряжение, то этот конденсатор заряжается, а электрическое поле затвора подтягивает к каналу заряды, в результате чего в канале возникают подвижные заряды, способные образовать электрический ток и сопротивление сток — исток резко падает.

Достоинство полевого транзистора, по сравнению с биполярным очевидно — на затвор надо подавать напряжение, но так как там диэлектрик, то ток будет нулевым, а значит требуемая мощность на управление этим транзистором будет мизерной.

Полевые (МОП) транзисторы бывают P- и N-канальные. Принцип у них один и тот же, разница лишь в полярности носителей тока в канале. Соответственно в разном направлении управляющего напряжения и включения в цепь.

Полевые транзисторы в основном используются в цифровой технике.

Фирма GreenChip предлагает Вам преобрести различные полевые транзисторы.