tip102 транзистор

tip102 транзистор

Характеристики:
  • Структура: npn
  • Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе и разомкнутой цепи э.: 100 В
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе и разомкнутой цепи б.: 100 В 100
  • Максимально допустимый ток к.: 8 А
  • Статический коэффициент передачи тока э (мин.): 1000
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 80 Вт
  • Датишит
Цена:
9.68 грн
Код: 321
шт.


tip107 транзистор

tip107 транзистор

Характеристики:
  • Структура: pnp
  • Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе и разомкнутой цепи э.: 100 В
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе и разомкнутой цепи б.: 100 В 100
  • Максимально допустимый ток к.: 8 А
  • Статический коэффициент передачи тока э (мин.): 1000
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 80 Вт
  • Датишит
К-во Цена
От1шт14.8грн
От15шт13.61грн
От73шт12.28грн
Код: 322
шт.


2sd669A транзистор

2sd669A транзистор

Характеристики:
  • Структура: npn
  • Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе и разомкнутой цепи э.: 180 В
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе и разомкнутой цепи б.: 160 В 100
  • Максимально допустимый ток к.: 2 А
  • Статический коэффициент передачи тока э (мин.): 60
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт
  • Датишит
Цена:
13.45 грн
Код: 323
шт.


A733 транзистор

A733 транзистор

Характеристики:
  • Структура: pnp
  • Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе и разомкнутой цепи э.: 50 В
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе и разомкнутой цепи б.: 50 В 100
  • Максимально допустимый ток к.: 0.1 А
  • Статический коэффициент передачи тока э (мин.): 100
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 180 МГц
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 0.12 Вт
  • Датишит
Цена:
3.7 грн
Код: 324
шт.


2SC945 транзистор

2SC945 транзистор

Характеристики:
  • Структура: npn
  • Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе и разомкнутой цепи э.: 60 В
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе и разомкнутой цепи б.: 50 В 100
  • Максимально допустимый ток к.: 0.1 А
  • Статический коэффициент передачи тока э (мин.): 90..600
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 Вт
  • Датишит
Цена:
1.86 грн
Код: 325
шт.


 2n5551 транзистор

2n5551 транзистор

Характеристики:
  • Структура: npn
  • Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе и разомкнутой цепи э.: 180 В
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе и разомкнутой цепи б.: 160 В 100
  • Максимально допустимый ток к.: 0.6 А
  • Статический коэффициент передачи тока э (мин.): 50
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 Вт
  • Датишит
Цена:
1.91 грн
Код: 326
шт.


 ss8550 транзистор

ss8550 транзистор

Характеристики:
  • Структура: npn
  • Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе и разомкнутой цепи э.: 40 В
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе и разомкнутой цепи б.: 25 В 100
  • Максимально допустимый ток к.: 1.5 А
  • Статический коэффициент передачи тока э (мин.): 85..300
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт
  • Датишит
Цена:
1.48 грн
Код: 327
шт.


 ss8050 транзистор

ss8050 транзистор

Характеристики:
  • Структура: npn
  • Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе и разомкнутой цепи э.: 40 В
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе и разомкнутой цепи б.: 25 В 100
  • Максимально допустимый ток к.: 1.5 А
  • Статический коэффициент передачи тока э (мин.): 85..300
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт
  • Датишит
Цена:
1.68 грн
Код: 328
шт.


BC547C транзистор

BC547C транзистор

Характеристики:
  • Структура: npn
  • Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе и разомкнутой цепи э.: 50 В
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе и разомкнутой цепи б.: 45 В 100
  • Максимально допустимый ток к.: 0.1 А
  • Статический коэффициент передачи тока э (мин.): 600
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 Вт
  • Датишит
Цена:
5.38 грн
Код: 354
шт.


SS9014C транзистор

SS9014C транзистор

Характеристики:
  • Структура: npn
  • Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе и разомкнутой цепи э.: 50 В
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе и разомкнутой цепи б.: 45 В 100
  • Максимально допустимый ток к.: 0.1 А
  • Статический коэффициент передачи тока э (мин.): 60
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 270 МГц
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 0.45 Вт
  • Датишит
Цена:
3.74 грн
Код: 371
шт.


bd139 транзистор

bd139 транзистор

Характеристики:
  • Структура: npn
  • Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе и разомкнутой цепи э.: 100 В
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе и разомкнутой цепи б.: 80 В
  • Максимально допустимый ток к.: 0.5 А
  • Статический коэффициент передачи тока э (мин.): 40
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 12.5 Вт
  • Датишит
Цена:
6.05 грн
Код: 436
шт.


bd140 транзистор

bd140 транзистор

Характеристики:
  • Структура: pnp
  • Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе и разомкнутой цепи э.: 100 В
  • Максимально допустимый ток к.: 1.5 А
  • Статический коэффициент передачи тока э (мин.): 30
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 10 Вт
  • Датишит
Цена:
6.05 грн
Код: 437
шт.


tip120 транзистор

tip120 транзистор

Характеристики:
  • Структура: npn
  • Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе и разомкнутой цепи э.: 60 В
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе и разомкнутой цепи б.: 60 В 100
  • Максимально допустимый ток к.: 5 А
  • Статический коэффициент передачи тока э (мин.): 1000
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 65 Вт
  • Даташит
Цена:
8.07 грн
Код: 592
шт.


FJP13007 транзистор

FJP13007 транзистор

Характеристики:
  • Структура: npn
  • Напряжение коллектор-база: 700 В
  • Напряжение коллектор-эмиттер: 400 В
  • Напряжение эмиттер-база: 9 В
  • Ток на коллекторе (DC): 8 А
  • Ток на коллекторе (Pulse): 16 А
  • Ток на базе: 4 A
  • Рассеиваемая мощность: 80 Вт
  • Рабочая температура: -20...150 С
  • Даташит
Цена:
13.32 грн
Код: 765
шт.

Транзистор – электронный полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Tранзистор позволяет регулировать силу электрического тока. Две основные функции прибора в электрической цепи - это усилитель и переключатель.

Транзистор усиливает слабую энергию подаваемого на него сигнала за счет энергии дополнительного источника питания.

У транзистора три вывода: коллектор, эмиттер и база. Схема транзистора

Между коллектором и эмиттером течет сильный ток, он называется коллекторный ток, между базой и эмиттером - слабый управляющий ток базы. Величина коллекторного тока зависит от величины тока базы. Причем, коллекторный ток всегда больше тока базы в определенное количество раз. Эта величина называется коэффициент усиления по току. У различных типов транзисторов это значение колеблется от единиц до сотен раз.

Транзисторы разделяют на две большие группы:

  • биполярные транзисторы;
  • униполярные транзисторы, еще их называют полевыми.

Биполярные транзисторы состоят из трёх слоёв полупроводника и делятся по структуре на 2 типа: pnp и npn. Первый тип (pnp) иногда называют транзисторами прямой проводимости, а второй тип (npn) - транзисторами обратной проводимости.

Биполярный транзистор управляется током. То есть, для того, чтобы между коллектором и эмиттером мог протекать ток (т.е., чтобы транзистор открылся), - должен протекать ток между базой и эмиттером (или между коллектором и базой - для инверсного режима).

В настоящее время биполярные транзисторы доминируют в аналоговой технике.

Фирма GreenChip предлагает Вам преобрести различные биполярные транзисторы.