Радиодетали и Инструменты > Транзисторы биполярные, IGBT

2sd669A транзистор

2sd669A транзистор

Характеристики:
  • Структура: npn
  • Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе и разомкнутой цепи э.: 180 В
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе и разомкнутой цепи б.: 160 В 100
  • Максимально допустимый ток к.: 2 А
  • Статический коэффициент передачи тока э (мин.): 60
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт
  • Датишит

Переглянути відгуки (0)


Отзывы о 2sd669A транзистор: