Радиодетали и Инструменты > Транзисторы полевые

2N7000 Транзистор

2N7000 Транзистор

Характеристики:

  • Тип канала: N
  • Максимальное напряжение сток-исток: 60 B
  • Ток стока номинальный при 25°C: 0.2 А
  • Сопротивление открытого канала: 5000 мОм
  • Максимальное напряжение затвора: 20 В
  • Рассеиваемая мощность: 0.4 Вт
  • Даташит
Цена:
3.9 грн
Код: 382
шт.
Є в наявності

FQP30N06 транзистор

FQP30N06 транзистор

Характеристики:
  • Структура: n-канал
  • Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
  • Максимальный ток сток-исток при 25 С: 32 А
  • Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В
  • Сопротивление канала в открытом состоянии: 3.5 мОм
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 79 Вт
  • Пороговое напряжение на затворе: 2.5 В
  • Корпус: to220ab
  • Даташит
Цена:
31.9 грн
Код: 719
шт.
Є в наявності

irlz44 Транзистор полевой N-канальный

irlz44 Транзистор полевой N-канальный

Характеристики:

  • Тип канала: N
  • Максимальное напряжение сток-исток: 55 В
  • Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса: 41 А
  • Сопротивление открытого канала: 22...35 мОм
  • Диапазон номинальных напряжений затвора: 4.5...10 В
  • Максимальное напряжение затвора: 16 В
  • Заряд затвора: 32 нКл
  • Рассеиваемая мощность: 83 Вт
  • Диапазон рабочих температур: -55..175С
  • Даташит
Цена:
39.2 грн
Код: 267
шт.
Є в наявності

irf9640 транзистор

irf9640 транзистор

Характеристики:

  • Полярность транзистора: P
  • Максимальное напряжение Vds: 200В
  • Сопротивление в открытом состоянии: 0.5 Ом
  • Рассеиваемая мощность: 125 Вт
  • Количество контактов: 3
  • Шаг выводов: 2.54 мм
  • Потребляемая мощность PD: 125 Вт
  • Импульсный ток Idm: 44A
  • Даташит
Цена:
44 грн
Код: 273
шт.
Є в наявності

IRLB3034PBF Транзистор

IRLB3034PBF Транзистор

Характеристики:
  • Тип канала: N
  • Максимальное напряжение сток-исток: 40 B
  • Максимальный ток сток-исток: 195 А
  • Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В
  • Заряд затвора: 108 нКл
  • Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм
  • Рассеиваемая мощность: 375 Вт
  • Корпус to220ab
  • Даташит
Цена:
69 грн
Код: 664
шт.
Є в наявності

IRG4PC30F транзистор

IRG4PC30F транзистор

Характеристики:

  • Напряжение К-Э максимальное: 600 В
  • Ток коллектора максимальный: 17 А
  • Напряжение насыщения К-Э: 1.59 В
  • Время нарастания: 26 нс
  • Время спада: 160 нс
  • Даташит
Цена:
147 грн
Код: 272
шт.
Є в наявності

IRFZ44N транзистор

IRFZ44N транзистор

Характеристики:

  • Тип: MOSFET силовой транзистор
  • Тип канала: N
  • Максимальное напряжение сток-исток: 55 В
  • Ток стока номинальный при 25°C: 49 А
  • Сопротивление открытого канала: 17.5 мОм
  • Максимальное напряжение затвора: 2..4 В
  • Рассеиваемая мощность: 94 Вт
  • Даташит
Цена:
27.9 грн
Код: 494
шт.
Є в наявності

 IRF540N транзистор

IRF540N транзистор

Характеристики:
  • Структура: n-канал
  • Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
  • Максимальный ток сток-исток при 25 С: 33 А
  • Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В
  • Сопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОм
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 120 Вт
  • Корпус: to220ab
  • Пороговое напряжение на затворе: 2…4 В
  • Даташит
Цена:
24.5 грн
Код: 742
шт.
Очікуєм

Транзистор – электронный полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Tранзистор позволяет регулировать силу электрического тока. Две основные функции прибора в электрической цепи - это усилитель и переключатель.

Транзистор усиливает слабую энергию подаваемого на него сигнала за счет энергии дополнительного источника питания.

У транзистора три вывода: коллектор, эмиттер и база. Схема транзистора

Между коллектором и эмиттером течет сильный ток, он называется коллекторный ток, между базой и эмиттером - слабый управляющий ток базы. Величина коллекторного тока зависит от величины тока базы. Причем, коллекторный ток всегда больше тока базы в определенное количество раз. Эта величина называется коэффициент усиления по току. У различных типов транзисторов это значение колеблется от единиц до сотен раз.

Транзисторы разделяют на две большие группы:

Полевой транзистор работает следующим образом: слабым сигналом на затворе управляем мощным потоком через канал. В отличии от биполярных транзисторов, тут управление идет не током, а напряжением.

В полевом транзисторе есть полупроводниковый канал, который служит как бы одной обкладкой конденсатора и вторая обкладка — металлический электрод, расположенный через тонкий слой оксида кремния, который является диэлектриком. Когда на затвор подают напряжение, то этот конденсатор заряжается, а электрическое поле затвора подтягивает к каналу заряды, в результате чего в канале возникают подвижные заряды, способные образовать электрический ток и сопротивление сток — исток резко падает.

Достоинство полевого транзистора, по сравнению с биполярным очевидно — на затвор надо подавать напряжение, но так как там диэлектрик, то ток будет нулевым, а значит требуемая мощность на управление этим транзистором будет мизерной.

Полевые (МОП) транзисторы бывают P- и N-канальные. Принцип у них один и тот же, разница лишь в полярности носителей тока в канале. Соответственно в разном направлении управляющего напряжения и включения в цепь.

Полевые транзисторы в основном используются в цифровой технике.

Фирма GreenChip предлагает Вам преобрести различные полевые транзисторы.